東京工業大学は2024年3月14日、次世代の高性能太陽電池として期待されているシリコンヘテロ接合太陽電池の製造において、太陽電池用の水素化アモルファスシリコンを、既存手法で用いる強い爆発性/毒性を有するSiH4ガスを使用せずに、高速かつ低ダメージで形成する手法を確立したと発表した。

東京工業大学は2024年3月14日、次世代の太陽電池として期待されているシリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池用の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)を、既存手法で用いる強い爆発性/毒性を持つSiH4(モノシラン)ガスを使用せずに、実用的な製膜速度でシリコンウエハー上に形成することに成功したと発表した。

https://eetimes.itmedia.co.jp/ee/articles/2404/08/news102.html