「パワートランジスタ」では、「Scaled Submicron Field-Plated Enhancement Mode High-K Gallium Nitride Transistors on 300mm Si(111) Wafer with Power FoM (RONxQGG) of 3.1 mohm-nC at 40V and fT/fMAX of 130/680GHz」(講演番号35.1)のタイトルで窒化ガリウム(GaN)の高周波パワートランジスタに関する研究成果を発表する。
直径300mmのシリコンウェハにゲート長が30nmと短いエンハンスメントモードのnチャンネルGaN MOS FETを作成し、680GHzと高い最大動作周波数(fMAX)を達成した。
なおトランジション周波数(fT)は130GHzである。パワーデバイスの性能指数であるパワーFoM(オン抵抗✕ゲート電荷)は3.1mΩ-nC(印加電圧40V、ゲート電圧0V)と低い(指数が低いと性能が高い)。
https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1462322.html
